據外媒報道，半導體專家Nexperia宣布推出650 V、10 A碳化硅（SiC）肖特基二極管，進入高功率碳化硅二極管市場。Nexperia是高效功率氮化鎵（GaN）FET值得信賴的供應商，此次新品推出是該公司的一項戰略舉措， 以擴展其高壓寬帶隙半導體器件產品。
Nexperia的首款SiC肖特基二極管具有650 V重復峰值反向電壓（VRRM）和10 A連續正向電流（IF），旨在將超高性能和高效率與功率轉換應用中的低能量損耗相結合。該二極管具有高壓兼容實2引腳（R2P）封裝的額外優勢，以及更高爬電距離，因此可以選擇表面貼裝（DPAK R2P和D2PAK R2P）或通孔（TO-220-2，TO-247-2)）設備。工程樣品可應要求提供，且公司計劃于2022年第二季度發布完整產品。Nexperia計劃不斷增加其SiC二極管的產品組合，使其所有72款產品的運行電壓水平為650 V和1200 V，且電流范圍為6到20 A。
隨著全球能源意識日益增強，市場對具有卓越效率和功率密度的高功率應用的需求不斷增長。Nexperia雙極分立器件事業部總經理Mark Roeloffzen表示：“氮化鎵和碳化硅等寬帶隙半導體可以很好地滿足大批量應用的嚴格需求，有望實現更高的效率、更大的功率密度，并為OEM降低系統成本和運營成本。Nexperia多樣化的SiC二極管組合將為該市場帶來更多的選擇和可用性。”
Nexperia的SiC肖特基二極管最初將用于工業和消費類應用，包括：開關電源（SMPS）、AC-DC和DC-DC轉換器、電池充電基礎設施、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器。Nexperia還計劃發布用于車輛電氣化應用的車規級設備，例如：車載充電器（OBC）；逆變器；高壓DC-DC轉換器。
